超薄氧化层的Q_(BD)成品率的研究  

作　　者：徐政 陈菊英 钟萍 张继 

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司中央研究所,无锡214035

出　　处：《微电子技术》1997年第5期39-42,共4页Microelectronic Technology

关 键 词：超薄氧化层 MOS电路 QBD成品率 制造工艺 

分 类 号：TN432.05[电子电信—微电子学与固体电子学]