衬底电流

作品数：13被引量：10H指数：2
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晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2000年第11期22-23,共2页
Y2000-62007-2 0018093发射极开关晶闸管(ETO)介绍:单位开关增益容量的数值与试验证明=Introducing the emitter turn-offthyristor(ETO):numerical and experimental demon-stration of unity turn-off gain capability[会,英]/Li,Y.X....
关键词：发射极开关晶闸管 高电子迁移率晶体管 器件 智能功率集成电路 开关增益 电子学报 数值模拟 双异质结晶体管 热载流子 衬底电流 
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