串行外围接口

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Ramtron非易失性串行FRAM具备20MHz无延迟写能力
《电子元器件应用》2005年第11期138-138,共1页
Ramtron International公司推出256Kb非易失性FRAM内存FM25256。该器件带有串行外围接口（SPI），可实现20MHz无延迟写操作，并可无限次数读／写，工作电压为4．0～5．5V，兼容标准串行EEPROM。
关键词：串行外围接口 FRAM 非易失性 International公司 延迟 串行EEPROM 能力 工作电压 写操作 内存 
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