古少杰

作品数:1被引量:3H指数:1
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供职机构:天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室更多>>
发文主题:ALN薄膜基底化学键金刚石平均自由程更多>>
发文领域:理学电子电信更多>>
发文期刊:《光电子.激光》更多>>
所获基金:天津市科技支撑计划天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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金刚石基底上制备(002)AlN薄膜的研究被引量:3
《光电子.激光》2012年第6期1114-1119,共6页古少杰 杨保和 张明伟 崔健 李翠平 
国家自然科学基金(50972105);天津市科技支撑计划(10ZCKFGX01200);天津市自然科学基金(09JCZDJC16500;10SYSYJC27700)资助项目
首先采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在O2/H2/CH4混合气体气氛下利用大功率微波在(100)Si片上生长出了异质外延金刚石膜,X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜的表征分析结果表明,制备的金刚石膜具...
关键词:氮化铝(AlN)薄膜 择优取向 金刚石 化学键 平均自由程 
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