高辉

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：华北电力大学更多>>
发文主题：磁存储器磁化反转层结构磁性隧道结磁特性更多>>
发文领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
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磁存储器环形带切口结构自由层磁化反转的微磁模拟被引量：2
《物理学报》2013年第5期418-425,共8页郝建红 高辉 
国家自然科学基金(批准号:10775018);科技部国际科技合作项目(批准号:2011DFR00780)资助的课题~~
针对基于磁性隧道结的赝自旋阀磁随机存储器,使用带斜面切口环形结构自由层,抛弃采用厚度改变矫顽力的方式,降低了磁性隧道结的面积电阻,改进了垂直电流磁随机存储器.通过集成工艺中淀积的二次效应生成磁环的切口,利用微磁学方法计算分...
关键词：自由层结构 磁化翻转 微磁 VMRAM 
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