翁国恩

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供职机构：厦门大学物理与机电工程学院更多>>
发文主题：铟P-GAN位错密度热退火退火更多>>
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p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响
《半导体技术》2013年第1期35-39,共5页孙丽 张江勇 陈明 梁明明 翁国恩 张保平 
国家自然科学基金(10974165;91023048;61106044);高等学校博士学科点专项科研基金(20110121110029)
近年来,N2退火和O2退火均被用于激活p-GaN中的Mg受主以提高p-GaN中的空穴浓度。基于两种退火技术,系统地研究了N2退火和O2退火对LED样品电学性能及光学性能的影响。电流电压特性的测试结果显示,在较低温度(500℃)下O2退火就可以达到与N...
关键词：p型氮化镓 热退火 变温光致发光 铟团簇 位错密度 
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