任泽岩

作品数：1被引量：11H指数：1
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表面印迹法制备钴(Ⅱ)离子印迹硅胶及性能被引量：11
《高等学校化学学报》2011年第12期2902-2907,共6页范洪涛 隋殿鹏 赵立兴 任泽岩 袁自云 周勤 孙挺 
国家青年科学基金(批准号:21107076);辽宁省博士科研启动基金(批准号:20111048)资助
采用表面印迹技术,以Co(Ⅱ)离子作为印迹离子,二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷为功能分子,硅胶为支撑物,环氧氯丙烷为交联剂,在硅胶表面制备Co(Ⅱ)离子印迹硅胶材料,利用红外光谱仪、扫描电镜和热重分析仪等进行了表征,采用平衡吸附法研...
关键词：钴 二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷 吸附 离子印迹硅胶 
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