尤思宇

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：表面钝化氟化硅纳米线杂化N更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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表面钝化硅纳米线的能带结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第11期1927-1933,共7页尤思宇 王燕 
国家自然科学基金重大国际合作资助项目(批准号:90307016)~~
采用第一性原理的方法计算了不同尺寸的(100)硅纳米线在H饱和及F饱和下的电子结构.计算结果表明,F饱和与H饱和的(100)硅纳米线均为直接禁带半导体,但F饱和硅纳米线的禁带宽度和价带有效质量都远小于H饱和硅纳米线,这一现象可用价带顶的...
关键词：硅纳米线 表面钝化 氟化 能带 σ-n杂化 
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