云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 谷立新

谷立新: 作品数：1被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：北京工业大学固体微结构与性能研究所更多>>; 发文主题：晶化温度透射电镜GETE相变材料电学性能更多>>; 发文领域：一般工业技术理学电子电信更多>>; 发文期刊：《电子显微学报》更多>>; 所获基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>

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Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响被引量：1: 《电子显微学报》2013年第3期192-197,共6页谷立新周夕淋张斌张滔刘显强韩晓东吴良才宋志棠张泽; 国家自然科学基金资助项目(No.11204008);北京市教育委员会重点项目计划(No.JB102001200801);教育部新世纪优秀人才支持计划(No.05009015200701);北京市自然科学基金资助项目(No.1122003); 通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征。发现薄膜的晶化温度随着Sb含量的增加先升高后降低;XRD分析表明Sb含量的不同导致薄膜晶体...; 关键词：GeSbTe 相变材料晶化温度透射电镜