杨彦楠

作品数：1被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：北京大学更多>>
发文主题：表面态深能级变频电压特性电容更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
InAlN材料表面态性质研究被引量：2
《物理学报》2013年第17期439-445,共7页杨彦楠 王新强 卢励吾 黄呈橙 许福军 沈波 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2012CB619303,2012CB619304);国家自然科学基金(批准号:61225019,11023003,10990102);国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2011AA050514,2011AA03A103,2011AA03A111);教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目资助的课题~~
运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验...
关键词：不同In组分的InAlN材料 表面态 电流 电压特性 变频电容 电压特性 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部