袁声召

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供职机构:常州天合光能有限公司更多>>
发文主题:太阳能电池太阳电池单晶硅填充因子发射结更多>>
发文领域:电气工程电子电信更多>>
发文期刊:《红外与毫米波学报》更多>>
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Cu(In,Ga)Se_2薄膜的制备及其表征(英文)
《红外与毫米波学报》2011年第3期198-201,206,共5页崔艳峰 袁声召 王善力 胡古今 褚君浩 
Supported by National Basic Research Program of China(973 program,Grant No.2010CB933700);National Natural Science Foundation of China(Grant No.10774154);Knowledge Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences;Shanghai City Committee of Science and Technology in China(Grants No.08JC1420900 and 0452nm085)
CuIn1-xGaxSe2(CIGS)为直接带隙半导体,其带隙宽度随In/Ga比而变化,且对可见光具有很高的吸收系数,是最有希望用于制作新一代高效、低成本薄膜太阳能电池的材料.采用直流溅射和后硒化工艺制备了系列CIGS薄膜,研究了溅射功率和衬底对CIG...
关键词:薄膜电池 CuIn1-xGaxSe2薄膜 直流溅射 硒化 
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