唐万荣

作品数：2被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：电子科技大学通信抗干扰技术国家级重点实验室更多>>
发文主题：CMOS数字电路低电压静电场电场强度带电体更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《中国科技博览》《信号处理》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
低电压下CMOS数字电路概率模型研究被引量：1
《信号处理》2012年第1期145-150,共6页唐青 胡剑浩 李妍 唐万荣 
为解决数字电路低功耗问题,电路工作电压被不断降低,导致电路逻辑器件呈现概率特性。本文提出了低电压下CMOS数字电路的错误概率模型,并完成硬件电路测试验证。本文首先详述了深亚微米(DSM)量级的门电路及模块在低电压供电条件下导致器...
关键词：低电压 概率器件 概率模型 状态转移法 
浅论静电场中一维和二维带电体的电场性质
《中国科技博览》2009年第29期131-131,共1页唐万荣 滕保华 段城 
静电场中一维均匀带电圆弧线在其圆心处的电场与相应的均匀带电直线的电场等价性，不能简单地推广到二维均匀带电面分布的情形。而二维均匀带电冠面在圆心处的电场只能与非均匀带电圆平面的电场等价。
关键词：电场强度 等价性 一维带电线 二维带电面 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部