林沛

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供职机构：北京科技大学更多>>
发文主题：ZNO纳米线阵列保护区域高温退火反应离子刻蚀基底更多>>
发文领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
发文期刊：《新材料产业》更多>>
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氧化锌纳米结构的压电性能研究
《新材料产业》2014年第10期55-60,共6页张跃 林沛 闫小琴 廖庆亮 丁一 
一、氧化锌（ZnO）半导体材料 作为典型的第3代半导体材料,半导体氧化锌（ZnO）激子结合热能高达60meV,远大于室温下的热能（26meV）。这样,ZnO可以通过激子-激子散射的方式实现受激发射,这种模式比半导体中通常采用的电子-空穴等离子...
关键词：氧化锌 压电性能 纳米结构 半导体材料 受激发射 电子-空穴 半导体激光 发射模式 
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