田锦

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发文主题：砷化镓GAAS参量反射型激光器更多>>
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反射型GaAs光控微波开关
《激光与红外》1996年第4期255-257,共3页田锦 顾宝良 毛秀华 胡正荣 
国防科工委预研基金
对反射型ＧａＡｓ光控微波开关的结构、实验系统和特性参量进行了研究。实验测出该微波开关的插入损耗低于１ｄＢ，隔离度达到３０ｄＢ。用５０ｎｓ光脉冲照射开关。
关键词：砷化镓 激光控制 微波开关 激光器 
快速GaAs光控微波开关参量的研究
《光电子．激光》1996年第1期20-25,共6页田锦 毛秀华 胡正荣 
本文对ＧａＡｓ衬底边缘照射微带线型光控微波开关进行了开关的结构参数设计，对开关的插入损耗和隔离度进行分析计算，并进一步讨论了频率响应及其光脉冲能量对开关隔离度的影响。
关键词：砷化镓 光控微波开关 开关隔离度 
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