宋佳明

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GaN/AlN半导体异质结带阶超原胞法计算
《光子学报》2009年第12期3097-3099,共3页宋佳明 陈光德 耶红刚 竹有章 伍叶龙 
国家自然科学基金(10474078)资助
为了对GaN/AlN异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现GaN/AlN为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62eV,与实验值很接近.通过使用常用的平均键能法、平均势法和芯态法三种近...
关键词：第一性原理 GaN/AlN 超原胞法 异质结带阶 
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