汪庆喜

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供职机构：中国矿业大学更多>>
发文主题：光学性质电子结构AL掺杂镓密度泛函理论更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《徐州工程学院学报（自然科学版）》更多>>
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Bi掺杂BaSnO_3电子结构的第一性原理研究
《徐州工程学院学报（自然科学版）》2012年第2期34-39,共6页张旻 汪庆喜 王月花 赵新印 赵娜 
国家自然科学基金项目(10947120)
采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法,对Bi掺杂钙钛矿BaSnO3电子结构进行了第一性原理的研究.研究结果表明:BaSnO3是一种间接带隙材料,带隙值为0.33eV,掺杂前其光吸收和催化能力都很弱,但掺杂后的Ba1-xBixSnO3是一种直接带隙材...
关键词：第一性原理 密度泛函理论 电子能带结构 光学性质 铁电性 
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