云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 黄晓升

黄晓升: 作品数：1被引量：3H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：华南理工大学更多>>; 发文主题：GAN封装基板N型半导体光电子器件发光亮度更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《发光学报》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>

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高效率GaN基高压LED芯片的制备及COB封装被引量：3: 《发光学报》2015年第6期692-698,共7页黄晓升黄华茂王洪李静; 863国家高技术研究发展计划(2014AA032609);广东省战略性新兴产业发展专项资金(2011A081301004;2012A080302003;2012A080304015)资助项目; 为提升Ga N基高压LED芯片的出光性能,优化了芯片发光单元之间隔离沟槽的宽度。当隔离沟槽宽度为20μm时,芯片的电学性能和光学性能最优。当注入电流为20 m A时,正向电压为50.72 V,输出光功率为373.64 m W,电光转换效率为36.83%。采用镜...; 关键词：高压LED 芯片制备封装基板发光效率