曹志峰

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供职机构:福建医科大学更多>>
发文主题:AL组分ALNALGAN动力学第一性原理更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《厦门大学学报(自然科学版)》更多>>
所获基金:福建省教育厅科技项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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应变AlN表面生长动力学
《厦门大学学报(自然科学版)》2015年第3期378-383,共6页曹志峰 林伟 庄芹芹 李书平 康俊勇 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2012CB619300);国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032608);国家自然科学基金(11404271);福建省教育厅科技项目B类(JB13150)
AlN半导体通常在异质衬底上外延,生长过程中往往承受较大的晶格失配应力.基于第一性原理,研究了应变AlN表面生长基元,如Al和N原子以及Al-Nn团簇的微观生长动力学.与非应变AlN比较显示,N原子形成焓有所提升,难以形成稳定吸附;而Al原子则...
关键词:高Al组分AlGaN 第一性原理 表面生长 
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