赵剑

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：浙江大学更多>>
发文主题：压痕单晶硅片位错滑移放对应力释放更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
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重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响被引量：1
《材料科学与工程学报》2016年第3期345-347,361,共4页赵泽钢 赵剑 马向阳 杨德仁 
国家自然科学基金资助项目(60906001和61274057);国家科技重大专项资助项目(2010ZX02301-003)
对比研究了轻掺硼(1.5×10^(16)cm^(-3))和重掺硼(1.2×10^(20)cm^(-3))直拉硅片上维氏压痕周围的残余应力分布及压痕位错在900℃滑移的情况。研究表明:重掺硼直拉硅片上压痕周围的残余应力及应力场区域显著小于轻掺硼硅片的。在900℃...
关键词：单晶硅片 重掺硼 位错滑移 
应力预释放对单晶硅片的压痕位错滑移的影响被引量：3
《物理学报》2015年第20期409-414,共6页赵泽钢 田达晰 赵剑 梁兴勃 马向阳 杨德仁 
国家自然科学基金(批准号:60906001,61274057);国家科技重大专项(批准号:2010ZX02301-003)资助的课题~~
单晶硅片的压痕位错在一定温度下的滑移距离反映了硅片的机械强度.压痕位错的滑移是受压痕的残余应力驱动的,因此研究残余应力与位错滑移之间的关系具有重要的意义.本文首先采用共聚焦显微拉曼术研究了单晶硅片压痕的残余应力经过300或...
关键词：单晶硅片 压痕 位错滑移 应力释放 
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