郑同场

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供职机构：厦门大学更多>>
发文主题：AL组分ALGAN镓氮化合物半导体材料更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《厦门大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划NSFC-广东联合基金更多>>
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Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性
《厦门大学学报（自然科学版）》2016年第2期237-243,共7页郑同场 林伟 蔡端俊 李金钗 李书平 康俊勇 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2012CBR19300);国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032608);国家自然科学基金(11404271,11204254,61227009);促进海峡两岸科技合作联合基金(U1405253);NSFC-广东联合基金(第二期)超级计算科学应用研究专项;国家超级计算广州中心支持项目
高Al组分(即原子分数)AlGaN带边发光以e光为主的发光特性,从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光,成为光电器件发光效率急剧下降的主要原因.第一性原理模拟计算表明,AlxGa1-xN混晶的晶格常数比c/a偏离理想值程度随Al组分的增大而增大,...
关键词：高Al组分AlGaN 发光偏振特性 Mg杂质 能带工程 
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