陈敏强

作品数：1被引量：12H指数：1
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供职机构：太原理工大学信息工程学院更多>>
发文主题：掺杂MOS2MOS光解水电子能带结构更多>>
发文领域：理学化学工程更多>>
发文期刊：《物理化学学报》更多>>
所获基金：山西省自然科学基金山西省回国留学人员科研经费资助项目国家自然科学基金更多>>
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Se掺杂对单层MoS_2电子能带结构和光吸收性质的影响被引量：12
《物理化学学报》2016年第12期2905-2912,共8页李刚 陈敏强 赵世雄 李朋伟 胡杰 桑胜波 侯静静 
国家自然科学基金(61674113;51622507;61471255);山西省自然科学基金(2014011019-1;20141001021-2;2016011040);山西省回国留学人员科研项目(2013-036);山西省人社厅留学人员择优资助项目([2013]251);人社部留学人员择优资助项目([2014]240);山西省高校科技创新研究项目(2016138)资助~~
基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Se掺杂单层MoS_2能带结构和光吸特性,并分析了对其光解水性质的影响。结果表明:本征单层MoS_2为直接带隙结构,禁带宽度为1.740 e V,导带底电位在H+/H2还原势之上0.430 e V,价带顶电位在O2/H2O...
关键词：单层MoS2 掺杂 光解水 第一性原理 
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