周志祥

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低能质子在半导体材料Si和GaAs中的非电离能损
《电子科技》2016年第12期191-193,共3页周志祥 
分析了新型光电器件在常规空间辐射环境下,电子器件所产生的一系列位移型损伤及对应成因。经多次对比实验发现,其位移损伤和器件失效主要由非电离能损(NIEL)所诱发。其根本损耗来源为:在低能空间状态下,库仑间的相互作用力将凸显,并逐...
关键词：低能质子 半导体材料 NIEL非电离能损 Si、GaAs 
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