徐文慧

作品数：5被引量：2H指数：1
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供职机构：天津职业技术师范大学电子工程学院更多>>
发文主题：肖特基结POLY-SIGECO热退火退火更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《微电子学》《发光学报》《液晶与显示》《天津职业技术师范大学学报》更多>>
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未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究
《微电子学》2011年第5期763-765,769,共4页王光伟 姚素英 徐文慧 张建民 
在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.1...
关键词：SIGE 变温I-V测试 肖特基结 理想因子 
外加偏压对未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触特性的影响
《真空》2011年第5期68-70,共3页王光伟 姚素英 徐文慧 马兴兵 
采用直流离子束溅射法，在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱（AEs）测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0．15。对薄膜进行高温磷扩散后，经XRD测试为多晶态，即得n—poly—Si0.85Ge0.15。在n—poly—Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的C...
关键词：变温I—V测试 外加偏压 肖特基结 表观理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性 
快速热退火对Co/Si_(0.85)Ge_(0.15)肖特基结电学特性的影响
《发光学报》2011年第9期924-928,共5页王光伟 姚素英 肖夏 徐文慧 
用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA),对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量。发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大,理想因子也变大,但...
关键词：快热退火 肖特基结 肖特基势垒高度 电学特性 
纳米TiO_2的主要制备方法及光催化特性评述被引量：2
《天津职业技术师范大学学报》2011年第2期57-59,63,共4页徐文慧 王光伟 朱绮萱 
随着对半导体纳米TiO2研究的深入,其光催化特性及应用备受关注。在环保中,纳米TiO2常用于污染物的分解,是一种高效无二次污染的光催化剂。文章简要评述了纳米TiO2的基本性质和主要制备方法,探讨了其光催化机理以及在治污中的应用,对纳米...
关键词：纳米TIO2 制备方法 光催化 环境保护 
快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响
《液晶与显示》2011年第5期582-586,共5页王光伟 姚素英 徐文慧 王雅欣 
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/...
关键词：变温I-V测试 肖特基结 快热退火 理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性 
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