高杨

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供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系更多>>
发文主题：后硫化硫化退火预置更多>>
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Cu-In预置层后硫化法制备CuInS_2薄膜
《太阳能学报》2013年第6期1010-1014,共5页马剑平 高杨 
西安应用材料创新基金(XA-AM-09014)
采用预置层后硫化法制备CuInS2薄膜,分析硫化退火工艺条件对薄膜性能的影响。利用XRD、EDS、分光光度计等薄膜分析手段表征CuInS2薄膜性能对制备工艺条件的依赖关系。实验结果表明:合适的退火条件可有效改善薄膜的结晶学性能,消除薄膜...
关键词：CuInS2薄膜 硫化 退火 预置层 
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