曾静雯

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供职机构:西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室更多>>
发文主题:化学修饰电极原位生长更多>>
发文领域:理学一般工业技术更多>>
发文期刊:《功能材料》更多>>
所获基金:四川省应用基础研究计划项目四川省科技攻关计划国家杰出青年科学基金更多>>
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原位生长缺陷碳纳米管化学修饰电极的研制
《功能材料》2009年第10期1747-1749,1753,共4页杨槐 江奇 何正文 李影 曾静雯 赵勇 
国家杰出青年科学基金资助项目(50588201);四川省科技攻关计划资助项目((05GG009-003;2006Z02-006-1);四川省应用基础研究基金资助项目(2008JY0061);西南交通大学基础科学研究基金资助项目(2007B20);西南交通大学大学生工程实践资助项目(09-53)
利用浸渍法将碳纳米管(CNT)催化剂附着在石墨电极表面,用化学气相沉积法制备得到原位生长碳纳米管化学修饰电极(GSCNT-CME)。通过控制催化剂及反应气体的配比,在石墨电极表面得到的管壁多缺陷的CNT,研究表明这种GSCNT-CME具有良好的电...
关键词:化学修饰电极 缺陷碳纳米管 原位生长 
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