于鑫翔

作品数：1被引量：4H指数：1
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供职机构：四川大学物理科学与技术学院应用物理学系更多>>
发文主题：GADLTS半导体深能级瞬态谱正电子更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《四川大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用被引量：4
《四川大学学报（自然科学版）》2008年第3期586-590,共5页张英杰 邓爱红 幸浩洋 龙娟娟 喻菁 于鑫翔 程祥 
国家自然科学基金(10775102)
本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法．该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ，Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征，它的优点不仅能研究半...
关键词：正电子 半导体 深能级瞬态谱(DLTS) 正电子深能级瞬态谱(PDLTS) 
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