卢建

作品数：1被引量：1H指数：1
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半导体材料电子非电离能损的分析法计算被引量：1
《核电子学与探测技术》2012年第7期820-825,共6页于新 何承发 郭旗 张兴尧 吴雪 张乐情 卢建 胥佳灵 胡天乐 
非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息...
关键词：非电离能损 mott散射截面 林哈德因子 分子动力学模型 
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