杨华峰

作品数:1被引量:2H指数:1
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供职机构:南京大学电子科学与工程学院更多>>
发文主题:XCSI发光特性光致发光纳米线更多>>
发文领域:理学更多>>
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所获基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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氢化碳化硅(Si_xC_(1-x):H)薄膜发光特性和纳米线发光增强研究被引量:2
《材料导报》2016年第4期6-8,12,共4页程英 余忠卫 魏晓旭 杨华峰 郭丹 王军转 余林蔚 施毅 
国家重点基础研究发展计划(2013CB932900);国家自然科学基金(61204050);江苏省自然科学基金(BK2011435;BK2011011)
氢化碳化硅薄膜作为一种宽带隙的半导体材料,具有优越的物理特性,其在光电子器件上的潜在应用引起了人们的兴趣。利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统制备了一系列氢化碳化硅薄膜,通过改变反应前驱物及流量比调节薄膜的室温光致发光...
关键词:氢化碳化硅薄膜 光致发光 纳米线 
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