冯钊

作品数:1被引量:2H指数:1
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供职机构:北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性实验室更多>>
发文主题:GAAS/GE太阳电池电子辐射更多>>
发文领域:电气工程更多>>
发文期刊:《中国科技论文》更多>>
所获基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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GaAs/Ge太阳电池电子辐射效应的移位损伤剂量分析被引量:2
《中国科技论文》2015年第5期520-522,527,共4页王荣 刘运宏 鲁明 冯钊 易天成 
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120003110011);国家自然科学基金资助项目(10675023;11075018;11375028);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
引入移位损伤剂量,对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析。首先计算电子在电池中的非电离能损(non-ionizing energy loss,NIEL)值,再用其与电子辐射注量的相乘,得到相应的移位损伤剂量(displacement damage dose,Dd)...
关键词:GAAS/GE太阳电池 移位损伤剂量 电子辐射 
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