胡大胜

作品数:1被引量:2H指数:1
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供职机构:长沙师范学校更多>>
发文主题:掺杂空位缺陷电子结构更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《中南大学学报(自然科学版)》更多>>
所获基金:湖南省教育厅科研基金湖南省自然科学基金更多>>
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多空位缺陷和硼氮杂质对锯齿型石墨烯纳米带电子结构的影响被引量:2
《中南大学学报(自然科学版)》2012年第11期4361-4366,共6页肖建田 胡大胜 陈灵娜 吴取劲 李丽华 
湖南省自然科学基金资助项目(11JJ3073);湖南省教育厅科研基金资助项目(10C1171);湖南省科技厅基金资助项目(2011KJT20)
利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究多空位缺陷和掺杂对对称性锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)的电子结构的影响。研究结果表明,具有相同位置的多空位缺陷或氮掺杂的对称性ZGNR显示了半金属特性,而硼掺杂的对称性ZGNR显示了半导体性...
关键词:锯齿型石墨烯纳米带 缺陷 掺杂 电子结构 
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