李善国

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
发文主题：CMOS发光器件硅基模型参数位错环更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算
《天津大学学报》2008年第3期287-292,共6页张彬 毛陆虹 李善国 郭维廉 张世林 
国家自然科学基金重点资助项目(60536030;60676038);天津市应用基础计划重点项目(06YFJZC00200)
针对硅基位错环发光器件,根据激子理论的速率方程描述了发光二极管的光电特性,提出了一种模型参数的计算方法,建立了便于计算机仿真的HSPICE模型.计算的参数与已报道的实验基本一致,特别是理想系数大于2,束缚激子的热激活能级为6.3 meV...
关键词：硅基发光器件 位错环 CMOS 电路模型 参数 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部