张佳音

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供职机构:哈尔滨师范大学物理与电子工程学院更多>>
发文主题:超晶格GAZNO光致发光性质光致发光更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《人工晶体学报》更多>>
所获基金:黑龙江省研究生创新科研项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金更多>>
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高质量单晶In_2Ge_2O_7纳米带的合成和生长机制探究
《人工晶体学报》2013年第12期2568-2571,共4页马新志 张佳音 刘欣 温静 高琼 李凯 牟洪臣 
国家自然科学基金(51172058;11074060);黑龙江省自然科学基金重点项目(ZD201112);高等学校博士点基金联合资助项目(20112329110001);黑龙江省研究生创新科研项目(YJSCX2012-186HLJ;YJSCX2012-187HLJ)
采用CVD法成功合成了高质量单晶In2Ge2O7纳米带,采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像以及X射线衍射(XRD),能谱元素分布图像等对产物进行了表征。结果表明,生长的纳米带长几十微米、厚度50 nm,几乎没有缺陷且In,Ge,O元素分布均匀。此外...
关键词:In2Ge2O7 纳米带 合成 生长机制 
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