李彪

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
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NEA GaN光电阴极的制备与评估被引量：3
《红外技术》2011年第6期332-335,共4页高频 王晓晖 杜玉杰 李彪 付晓倩 
国家自然科学基金项目;编号:60871012
对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEA GaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了p型掺杂浓度为1.6×1017 cm-3发射层厚度150 nm的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原子级清洁表面后,在超高真空系统中对GaN光电阴极进行了Cs/O激活,获...
关键词：GAN光电阴极 NEA 制备工艺 
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