仝俊利

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
发文主题：半导体CDZNTE性能表征退火更多>>
发文领域：一般工业技术更多>>
发文期刊：《功能材料》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
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CdZnTe薄膜的CdCl_2退火及性能表征
《功能材料》2012年第9期1197-1199,1203,共4页仝俊利 介万奇 高俊宁 查钢强 
国家自然科学基金资助项目(50902113;50902114;50872111);教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-10-0636)
采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、紫外光谱仪、I-V测试仪等研究了退火对薄膜表面形貌、成分、结构以及光电性能的影响。结果表明,经过CdCl2退火后薄膜的晶粒...
关键词：近空间升华 CDZNTE 薄膜 CdCl2退火 Ⅱ-Ⅵ族半导体 
控制降温对近空间升华法沉积CdZnTe薄膜形貌与结构的影响被引量：1
《功能材料》2012年第6期725-728,共4页高俊宁 袁妍妍 何亦辉 于晖 仝俊利 王涛 介万奇 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB610406);国家自然科学基金资助项目(50872111;50902113;50902114)
采用场发射扫描电镜和X射线衍射技术研究了生长结束后的降温过程对以近空间升华法生长的CdZnTe薄膜形貌与结构的影响。分析了快速(炉冷,673K以上-8K/min)和慢速(-2K/min)两种降温速率下获得的CdZnTe薄膜的结构与形貌,并考察了降温中是...
关键词：Ⅱ—Ⅵ族半导体 CdZnTe薄膜 近空间升华 
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