杨根岭

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脉冲腐蚀法制备的多孔硅对乙醇气体的响应
《重庆工学院学报（自然科学版）》2009年第8期172-175,共4页黎学明 杨金瑞 杨根岭 
国家自然科学基金资助项目(10476035)
采用电化学脉冲腐蚀法,在P型单晶硅片上制备了多孔硅(Porous Silicon,PS).以制备的多孔硅为传感元件,利用电感耦合器件(CCD)记录了乙醇蒸汽的反射干涉图.反射光谱经IGOR软件进行傅里叶变换后,得到多孔硅的光学厚度值,并以此为依据探讨...
关键词：多孔硅 法布里·珀罗干涉 脉冲腐蚀 光学厚度 传感 
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