邓大宝

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：中南大学资源加工与生物工程学院更多>>
发文主题：光致发光性能光照条件更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《中南大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家大学生创新性实验计划项目国际科技合作与交流专项项目更多>>
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n型多孔硅的制备及其光致发光性能被引量：1
《中南大学学报（自然科学版）》2010年第4期1229-1233,共5页宋晓岚 喻振兴 程蕾 吴长荣 张泰隆 邓大宝 
科技部国际科技合作项目(2005DFBA028);国家大学生创新性实验计划项目(LA09062)
采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅（n-PS）;在室温下,采用500~700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜（SEM）测试系统研究光照、腐蚀时间、电解液含量、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂含量等对n-PS的形成、结构形貌...
关键词：n型多孔硅 双槽电化学腐蚀法 光照条件 光致发光性能 
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