刘庆

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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：HBTSIGE_HBT自热效应SIGE更多>>
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金属系统对SiGe HBT自热效应的影响
《微电子学》2005年第4期332-335,339,共5页刘庆 张伟 许军 
国家高技术研究发展计划"RF电路模块和相关关键实现技术研究"资助项目(2002AA1Z1610)
在SiGeHBT设计中,采用AlTiNTi多层金属系统,可减小基极电阻,提高器件的频率和功率特性(fmax)。但是,本文的研究表明,如果忽略了发射极电阻的减小和TiN、Ti有较小的热导率,而不在设计中做出适当调整,在相同的大电流工作条件下,多层金属HB...
关键词：SIGE HBT 多层金属结构 自热效应 输出特性 
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