崔春梅

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：兰州理工大学理学院更多>>
发文主题：掺杂P型半导体N型半导体第一性原理AS更多>>
发文领域：理学更多>>
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N/P/As/Sb掺杂(9,0)型碳化硅纳米管的第一性原理被引量：3
《兰州理工大学学报》2016年第1期158-160,共3页戴剑锋 陈达城 崔春梅 樊学萍 
国家自然科学基金(50873047)
基于第一性原理,研究(9,0)型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N...
关键词：碳化硅纳米管 掺杂 第一性原理 N型半导体 P型半导体 
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