史讯

作品数:1被引量:3H指数:1
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供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题:GACOSB方钴矿热电材料第一性原理更多>>
发文领域:一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊:《中国材料进展》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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CoSb_3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究被引量:3
《中国材料进展》2015年第1期41-49,63,共10页席丽丽 邱雨婷 史讯 杨炯 陈立东 杨继辉 张文清 
国家自然科学基金资助项目(11204333;11234012);科技部"973"计划项目(2013CB632501)
通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的Co Sb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在Co Sb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关...
关键词:方钴矿 第一性原理 热电材料 复杂缺陷结构 
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