任远

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室更多>>
发文主题：表面粗化LEDINGAN/GAN多量子阱高反射率电极更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》更多>>
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高反射率电极及n-GaN表面粗化的InGaN/GaN多量子阱LED的研制被引量：1
《半导体光电》2015年第3期382-385,共4页林秀其 柳铭岗 杨亿斌 任远 陈扬翔 向鹏 陈伟杰 韩小标 藏文杰 林佳利 罗慧 廖强 张佰君 
采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空...
关键词：高反射率电极 表面粗化 光萃取效率 
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