刘冰燕

作品数：1被引量：1H指数：1
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发文主题：超低电压SRAM多阈值低功耗低电压更多>>
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应用于超低电压下的SRAM存储单元设计被引量：1
《微电子学与计算机》2016年第9期15-18,23,共5页刘冰燕 蔡江铮 黑勇 
中国科学院战略性先导科技专项极低功耗智能感知技术(XDA06020401)
提出一种能够工作在低电压下的SRAM存储单元,单元采用8T结构,在传统6T结构的基础上增加两个串联的NMOS构成读出端口,传统6T结构中背靠背反相器采用高阈值晶体管.采用Smic130nm工艺仿真结果显示,提出的8T结构能够在最低0.3V下正常操作,...
关键词：随机静态存储器(SRAM) 低电压 低功耗 存储单元 多阈值 
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