李建平

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文主题：KU波段GAAS_PHEMT高电子迁移率晶体管砷化镓低噪声放大器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微波学报》更多>>
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一款Ku波段GaAs PHEMT低噪声放大器被引量：2
《微波学报》2017年第4期80-84,共5页韩克锋 李建平 
面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0.15μm栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工艺的开发,在制备工艺中采用了欧姆特性优异的复合帽层欧姆接触、低寄生电容的介质空洞栅结构以及高击穿电压的双槽结构。在此基...
关键词：砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 介质空洞 寄生电容 噪声系数 带宽 
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