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Ⅱ-Ⅵ族多元化合物半导体晶体生长及器件研究进展
《铸造技术》2023年第12期1075-1093,共19页杨桂芝 俞鹏飞 张嘉伟 介万奇 
西北工业大学凝固技术国家重点实验室开放课题(SKLSP202318);陕西省重点研发计划(2022GY-358)。
Ⅱ-Ⅵ族多元(三元及三元以上)化合物半导体晶体是一类非常重要的光电子材料,多为闪锌矿结构,具有直接跃迁型能带结构。可以通过掺入不同的杂质获得n型或者p型半导体晶体材料。这些晶体具有原子序数大、电阻率高、载流子迁移率寿命积大...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族多元化合物 半导体 晶体生长 室温辐射探测器 太阳能电池 
室温辐射探测器用碲锌镉晶体的退火改性研究进展被引量：3
《材料科学与工程学报》2021年第2期342-354,共13页陈永仁 赵鹏 俞鹏飞 刘文斐 芦晗越 王蕾 高力 郑丹 
国家自然科学基金资助项目(51602026);陕西省科技厅资助项目(2018JM5150)。
碲锌镉(CdZnTe)作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,因其具备优异的光电性能,成为制备室温辐射探测器的理想材料。但生长态的CdZnTe晶体中不可避免地会引入Cd空位、沉淀/夹杂相、杂质和位错等缺陷,严重影响了所制备器件的质量和光电性...
关键词：室温辐射探测器 碲锌镉 缺陷 退火改性 晶体质量 
采用多步骤组合退火方法改善碲镁镉晶体的性能
《硅酸盐学报》2025年第1期102-113,共12页张嘉伟 俞鹏飞 韩召 杨桂芝 介万奇 
西北工业大学凝固技术国家重点实验室开放课题(SKLSP202318);陕西省重点研发计划项目(2022GY-358)。
碲镁镉(CdMgTe)晶体是一种理想的室温辐射探测新材料,但生长态晶体中仍然存在较多的缺陷,降低了探测器性能。采用多步骤组合退火方法对CdMgTe晶体进行退火改性,探讨了退火温度对晶体缺陷、力学、光学和电学性能的影响。结果表明,Cd气氛...
关键词：碲镁镉晶体 多步骤组合退火 晶体质量 电阻率 室温辐射探测器 
室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备被引量：6
《机械科学与技术》2010年第4期546-550,共5页王涛 徐亚东 查钢强 刘伟华 徐凌燕 白旭旭 傅莉 介万奇 
国家自然科学基金项目(50772091;50902114);教育部新世纪人才计划项目资助;国家杰出青年基金;国家自然科学基金重点及面上项目的资助
采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60 mm的碲锌镉晶体,晶体利用率达到70%以上。晶体中Te沉淀/夹杂密度小于1×10-3cm2,电阻率达到4×1010Ω.cm。利用得到的晶体制备了平面型单元探测器,测量了对不同能量射线的分辨率,其中对241Amγ...
关键词：室温辐射探测器 碲锌镉 布里奇曼(Bridgman)法 
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