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有源层表面性质对晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的影响: 《电子元件与材料》2017年第1期51-56,71,共7页陆晓东宋扬王泽来赵洋张宇峰吕航张金晶; 国家自然科学基金资助(No.61575029;No.11304020);辽宁省教育厅一般项目(No.L2012401); 利用有限差分法求解半导体器件基本方程,研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明:当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷,且三者起施主型和受主型陷阱作用时,正向偏压下的晶硅电池暗Ⅰ...; 关键词：晶硅电池暗I-V特性曲线理想因子总电流密度缺陷态有限差分

体缺陷性质对晶硅电池暗I-V特性的影响: 《电子元件与材料》2016年第10期39-44,共6页陆晓东宋扬王泽来赵洋张金晶; 国家自然科学基金资助(No.61575029;No.11304020);辽宁省教育厅一般项目资助(No.L2012401); 采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗I-V特性的影响。研究表明:晶硅电池暗I-V特性的自然对数曲线可分为三个基本区域;随受主型、施主型和复合中心型缺陷密度的增加,电池的开路电压、短路电流、填充因子和...; 关键词：晶硅电池有限差分法晶体缺陷暗I-V特性曲线理想因子总电流密度

非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响: 《人工晶体学报》2016年第12期2812-2819,共8页陆晓东宋扬赵洋王泽来张金晶; 国家自然科学基金(11304020);辽宁省教育厅一般项目(L2012401); 利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重...; 关键词：晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线理想因子总电流密度

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