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AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取: 《大连理工大学学报》2025年第1期105-110,共6页吴淇暄张贺秋朱江宁思源代晓王子坤梁红伟; 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45);大连市科技创新基金资助项目(2023JJ12GX013)。; 有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了...; 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管器件参数有效栅长有效栅宽

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