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CMOS离子敏场效应管SPICE模型被引量：1
《传感器技术》2005年第10期16-18,22,共4页刘肃 韩富强 于峰崎 
完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程...
关键词：离子敏场效应晶体管 器件模型 通用电路模拟程序 
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