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检索条件："关键词=霍尔效应载流子迁移率 "

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Cu-THQ薄膜的可控制备及其载流子迁移率调控: 《高等学校化学学报》2025年第3期111-120,共10页王龙盛李朝晖何漩李薇馨陈辉王大珩方伟杜星赵雷; 国家自然科学基金(批准号:22105151,52305211);湖北省重点研发计划项目(批准号:2022BAA094);湖北省自然科学基金(批准号:2024AFB836,2023AFB626,2022CFB626)资助。; 利用化学气相沉积(CVD)方法制备了具有不同表面粗糙度的Cu-THQ(THQ=四羟基-1,4-苯醌-水合物)薄膜,并研究了Cu-THQ薄膜的表面粗糙度、分子π-π堆积程度与载流子迁移率之间的内在联系,探索了CVD生长过程中温度对Cu-THQ薄膜载流子迁移率...; 关键词：导电金属有机框架化学气相沉积配位方式 Π-Π堆积霍尔效应载流子迁移率

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