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一种准确的MOS晶体管统计模型方法
《集成电路应用》2016年第10期27-31,共5页李平梁 王正楠 
这是一种用于MOS晶体管的统计模型建模方法,基于物理模型,考虑相关性的全局偏差和非相关性的局部偏差,分别进行模型化。首先建立Die内非相关性局部偏差的模型,然后采用FPV和BPV相结合的方法,针对全局偏差的分布,建立MOSFET器件准确的统...
关键词：MOS器件模型 蒙特卡洛仿真 统计模型 BPV 
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