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检索条件："关键词=N型氮化铝 "
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硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究
《原子与分子物理学报》2025年第5期50-56,共7页王绪 杨发顺 熊倩 周柳含 马奎 
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-01)。
选择硅作为N型杂质源,采用高温热扩散的方式进行实验研究.采用磁控溅射法在硅/蓝宝石衬底上外延的AlN薄膜上沉积纯硅.硅的溅射时间决定了硅层的厚度,从而决定了硅的掺杂剂量.在氮气气氛下高温(1150℃)热扩散4小时后,AlN薄膜表面的硅原...
关键词：N型氮化铝 硅掺杂 磁控溅射 热扩散 衬底反扩散 
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