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检索条件："关键词=T型小信号电路模型 "

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SiGe HBT器件低温S参数计算方法: 《核电子学与探测技术》2023年第5期992-999,共8页魏正华叶小兰; 湖南省教育厅科学研究项目“基于Mesh通信的智慧环境监测系统的研究与应用”(23B1108);湖南省教育厅科学研究项目“宽阻带高抑制小型腔体滤波器的研究与实践”(22C1436);长沙民政职业技术学院校级自科研究项目(23mypy08)。; 针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件的S参数是用于射频前端电路匹配设计的关键参数,提出一种测量SiGe HBT器件在多个不同温度下的S参数获取该器件低温S参数的计算方法。首先建立SiGe HBT器件在已知直流偏置下的T型小信号电路模型,...; 关键词：锗硅异质结双极晶体管 S参数低温 T型小信号电路模型

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